1、为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合
的辐射度量是 （ ）
（答案：D）
D、辐射亮度
2、已知某辐射源发出的功率为 1W，该波长对应的光谱光视效率为
0.5，则该辐射源辐射的光通量为（ ）
（答案：B）
B、341.5lm
3、半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的
现象成为本征吸收。
（答案：A）
A、价带，导带
4、电磁波谱中可见光的波长范围为( )
（答案：A）
A、0.38~0.78um
5、100W 标准钨丝灯在 0.2sr 范围内所发出的辐射通量为（）
（答案：A）
A、1.592W
6、用照度计测得某环境下的照度值为 1000lx，该环境可能是（ ） （答案：B）
B、阴天室外
7、已知某 He-Ne 激光器的输出功率为 8mW，正常人眼的明视觉和暗
视觉最大光谱光是效能分别为 683lm/W 和 1725lm/W，人眼明视觉光
谱光视效率为 0.24，则该激光器发出的光通量为（）
（答案：D）
D、1.31lm
多项选择题(每题 6 分,共 7 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、光电探测器中的噪声主要包括( )。
（答案：A, B, C, D, E）
A、热噪声
B、散粒噪声
C、产生复合噪声
D、1/f 噪声
E、温度噪声
2、下列选项中的参数与接收器有关的有（ ）
（答案：A, D）
A、曝光量
D、照度
判断题(每题 6 分,共 7 题)
1、可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，
自由载流子吸收和晶格吸收。
（答案：n）
2、探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明
探测器的探测能力越强。
（答案：y）
3、辐射通量与光通量的单位是相同的。
（答案：n）
4、外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像
管和像增强器的核心技术。
（答案：n）
5、 噪声等效功率是信噪比为 1 时， 入射到探测器上的信号辐射通量。 （答案：y）
6、发光强度的单位是坎德拉（cd）,其定义为：在给定方向上能发射
540THz 的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，其发
光强度定义为 1cd。
（答案：y）
7、朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。
（答案：n）
1、设某光敏电阻在 100lx 光照下的阻值为 2000 欧姆，且已知它在
90~120lx 范围内的光电转换因子 0.9。 则该光敏电阻在 110lx 光照下
的阻值为（ ）。
（答案：C）
C、1873.8 欧姆
2、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ ）
（答案：C）
C、1~7.5um
3、硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（ ）
（答案：B）
B、400~7
00nm
4、常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ ）
（答案：D）
D、0.4~3um
5、假设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗是 30mW，光电导灵敏度
Sg=0.5uS/lx，暗电导 g0=0。当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 是
的极限照度为（）。
（答案：D）
D、150lx 和 22500lx
6、光电导探测器的特性受工作温度影响（ ）。
（答案：B）
B、很大
多项选择题(每题 5 分,共 9 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、光电导器件的噪声主要有（ ）
（答案：A, B, C）
A、热噪声
B、1/f 噪声
C、产生与复合噪声
D、散粒噪声
判断题(每题 5 分,共 9 题)
1、由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用 P 型材料制成光电导器
件。
（答案：n）
2、材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数。
（答案：n）
3、光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。
（答案：n）
4、弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。
（答案：y）
5、前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种
现象。
（答案：y）
6、 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。 （答案：n）
7、光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。
（答案：y）
8、当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出
会减小。
（答案：y）
9、在测量某光电导器件光电转换因子的值时，背景光照越强，其光
电转换因子值越小。
（答案：y）
(以上都是第一章的内容)
1、光电导的单位（ ）
（答案：B）
B、西门子
2、光电导探测器的特性受工作温度影响（ ）。
（答案：B）
B、很大
3、设某光敏电阻在 100lx 光照下的阻值为 2000 欧姆，且已知它在
90~120lx 范围内的光电转换因子 0.9。 则该光敏电阻在 110lx 光照下
的阻值为（ ）。
（答案：C）
C、1873.8 欧姆
4、氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ ）
（答案：A）
A、200~365nm
5、假设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗是 30mW，光电导灵敏度
Sg=0.5uS/lx，暗电导 g0=0。当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 是
的极限照度为（）。
（答案：D）
D、150lx 和 22500lx
6、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ ）
（答案：C）
C、1~7.5um
多项选择题(每题 5 分,共 9 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（ ）
（答案：B, C, D, E）
B、硫化镉
C、硫化铅
D、锑化汞
E、碲鎘汞
判
断题(每题 5 分,
共 9 题)
1、光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。
（答案：n）
2、在测量某光电导器件光电转换因子的值时，背景光照越强，其光
电转换因子值越小。
（答案：y）
3、前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种
现象。
（答案：y）
4、光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴
的复合而需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴
的浓度与复合机率不断减小， 使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很
（答案：n）
长时间这一特性的描述。
5、光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。
（答案：y）
6、弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。
（答案：y）
7、光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动。
（答案：n）
8、光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随
之升高。
（答案：y）
9、 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。 （答案：n）
（以上是第三章）
1、光伏器件的自偏置电路主要用于（ ）器件
（答案：B）
B、光电池
2、硅光电池在（ ）情况下有最大的电流输出。
（答案：B）
B、自偏置
3、为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应，下面可以采取的措
施是（ ）。
（答案：D）
D、减薄 PN 节厚度
4、下列光电器件中可以精确测量位置的是（ ）
（答案：C）
C、PSD
5、用光电法测量某高速转轴（15000r/min）的转速时，最好选用（ ）
为光电接收器件。
（答案：D）
D、3DU 型光电三极管
6、硅光电池在（ ）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性
关系，且动态范围较大。
（答案：D）
D、反向偏置
7、硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光
电三极管集电极电流的变化为（ ）。
（答案：D）
D、电流大小始终为零
8、硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或 E 字形电极，其目的是
（ ）。
（答案：B）
B、减小内电阻
9、若要检测脉宽为 0.1uS 的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。 （答案：A）
A、PIN 型光电二极管
多项选择题(每题 5 分,共 9 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、光伏器件的噪声主要有（ ）
（答案：A, D）
A、热噪声
D、散粒噪声
2、光伏探测器的光电特性主要与（ ）有关
（答案：A, B, C, D）
A、材料
B、光照范围
C、负载大小
D、外
加电压
判断题(每题 5
分,共 9 题)
1、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。
（答案：y）
2、雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
（答案：y）
3、PSD 是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光
点位置敏感的光电器件。
（答案：y）
4、光电池通常工作在自偏置状态，用作弱光信号的线性测量或强光
信号的存在探测。
（答案：y）
5、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
（答案：n）
6、用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极
管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。
（答案：y）
7、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压
降就是他自身的正向偏压。
（答案：y）
8、光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，
最后趋近于反向饱和电流.
（答案：y）
9、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。
（答案：n）
1、用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（ ）为光电接
收器件。
（答案：D）
D、3DU 型光电三极管
2、若要检测脉宽为 0.1uS 的光脉冲，应选用（）为光电变换器件。 （答案：A）
A、PIN 型光电二极管
3、光伏器件的自偏置电路主要用于（ ）器件
（答案：B）
B、光电池
4、通常光伏探测器的漂移时间为（ ）
（答案：C）
C、0.01nS
5、下列光电器件中可以精确测量位置的是（ ）
（答案：C）
C、PSD
6、硅光电池在（ ）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性
关系，且动态范围较大。
（答案：D）
D、反向偏置
7、硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光
电三极管集电极电流的变化为（ ）。
（答案：D）
D、电流大小始终为零
8、硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或 E 字形电极，其目的是
（ ）。
（答案：B）
B、减小内电阻
9、若要检测脉宽为 0.1uS 的光脉冲，应选用（ ）为光电变换器件。 （答案：A）
A、PIN 型光电二极管
多项选择题(每题 5 分,共 9 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、光伏探测器在正常使用时，常用的偏置方式有（ ）
（答案：A, B, C）
A、自偏置
B、零偏置
C、反向偏置
2、光伏探测器的光电特性主要与（ ）有关
（答案：A, B, C, D）
A、材料
B、光照范围
C、负载大小
D、外加电压
判断题(每题 5 分,共 9 题)
1、PSD 是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面
上的光
点位置敏感的光电器件。
（答案：y）
2、光电池通常工作在自偏置状态，用作弱光信号的线性测量或强光
信号的存在探测。
（答案：y）
3、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。
（答案：n）
4、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压
降就是他自身的正向偏压。
（答案：y）
5、用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极
管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。
（答案：y）
6、光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，
最后趋近于反向饱和电流.
（答案：y）
7、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
（答案：n）
8、雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。
（答案：y）
9、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。
（答案：y）
（以上是第四章）
1、在较强辐射作用下倍增管灵敏度下降的现象称为（ ）。
（答案：D）
D、疲劳
2、在光电倍增管中，吸收光子能量发射光电子的部件是（ ）。
（答案：B）
B、光电阴极
3、光电子发射探测器是基于（ ）的光电探测器。
（答案：B）
B、外光电效应
4、已知某光电倍增关的阳极灵敏度为 100A/lm，阴极灵敏度为
2μ A/lm，要求阳极输出电流限制在 100μ A 范围内，则允许的最大入
射光通量为（ ）。
（答案：A）
A、1ulm
多项选择题(每题 6 分,共 6 题。少选视正确答案多少酹情给分，多选不得分)
1、光电倍增管的时间特性主要有（ ）参数
（答案：A, B, C）
A、响应时间
B、渡越时间
C、渡越时间分散
2、下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（ ）。 （答案：A, B）
A、将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级
B、 使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最
小
3、光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（ ）
（答案：B, C）
A、光电阳极材料
B、光电阴极材料
C、窗口材料
D、倍增级材料
4、下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有( )。
（答案：A, B, C, D）
A、欧姆漏电
B、热发射
C、残余气体放电
D、场致发射
5、常规光电阴极材料有（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、银氧铯
B、单碱锑化物
C、多碱锑化物
D、碲化铯
判断题(每题 6 分,共 6 题)
1、光电倍增极在使用过程中队入射光没有特殊要求。
（答案：n）
2、光电倍增管的倍增极通常是大于 12.
（答案：n）
3、光
电倍增管的电流增益通常不超过 10 的 7 次放
量级。
（答案：n）
4、测量阳极灵敏度时，入射到阴极上的光通量大约在 10-5~10-2lm。 （答案：n）
5、光电倍增管增益定义为阳极电流与阴极电流之比，或阳极灵敏度
与阴极灵敏度之比。
（答案：y）
6、NEA 材料的量子效率比常规光电子阴极材料高很多。
（答案：y）
（以上是第五章）
1、电摄像器件应具有的基本功能有（ ）
（答案：A, B, C）
A、光电变换
B、光电信号存储
C、扫描输出
2、二相线阵 CCD 正常工作所需要的工作脉冲有（ ）
（答案：A, B, C）
A、驱动脉冲
B、复位脉冲
C、转移脉冲
3、CCD 的基本单元由以下几部分组成（ ）
（答案：A, B, C）
A、金属
B、氧化物
C、半导体
4、直视型光电器件由几部分组成（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、图像转换
B、增强
C、显示
D、高真空管壳
5、电荷耦合器件的几个工作过程分为（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、电荷包的产生
B、电荷包耦合
C、电荷包耦合
D、电荷包检测
判断题(每题 10 分,共 5 题)
1、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴
极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。
（答案：y）
2、像管可以分为变像管和图像增强管。
（答案：y）
3、 固体摄像器件的光电信号的读取与输出不是借助外界的扫描机构，
而是依靠自身内部的驱动脉冲来完成。
（答案：y）
4、级联式图像增强管的亮度增益可达 100000。
（答案：y）
5、二相线阵 CCD 两路驱动脉冲的相位差是 120 度。
（答案：n）
1、CCD 的基本单元由以下几部分组成（ ）
（答案：A, B, C）
A、金属
B、氧化物
C、半导体
2、电荷耦合器件的几个工作过程分为（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、电荷包的产生
B、电荷包耦合
C、电荷包耦合
D、电荷包检测
3、像管由以下几部分组成（ ）
（答案：A, C, D）
A、光电阴极
B、光电阳极
C、电子透镜
D、荧光屏
E、倍增级
4、二相线阵 CCD 正常工作所需要的工作脉冲有（ ）
（答案：A, B, C）
A、驱动脉冲
B、复位脉冲
C、转移脉冲
D、行选通脉冲
E、列选通脉冲
5、直视型光电器件由几部分组成（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、图像转换
B、增强
C、显示
D、高真空管壳
E、阳
判断题(每题 10 分,共 5 题)
1、级联式图像增强管的亮度增益可达 100000。
（答案：y）
2、 固体摄像器件的光电信号的读取与输出不是借助外界的扫描机构，
而
是依靠自身内部的驱动脉冲来完成。
（答案：y）
3、像管可以分为变像管和图像增强管。
（答案：y）
4、摄像型光电成像是一种可以直接输出图像的器件。
（答案：n）
5、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴
极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。
（答案：y）
1、电荷耦合器件的几个工作过程分为（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、电荷包的产生
B、电荷包耦合
C、电荷包耦合
D、电荷包检测
E、MOS 电容器
2、像管由以下几部分组成（ ）
（答案：A, C, D）
A、光电阴极
B、光电阳极
C、电子透镜
D、荧光屏
E、倍增级
3、直视型光电器件由几部分组成（ ）
（答案：A, B, C, D）
A、图像转换
B、增强
C、显示
D、高真空管壳
E、阳
4、CCD 的基本单元由以下几部分组成（ ）
（答案：A, B, C）
A、金属
B、氧化物
C、半导体
D、光电阴极
E、光电阳极
5、电摄像器件应具有的基本功能有（ ）
（答案：A, B, C）
A、光电变换
B、光电信号存储
C、扫描输出
D、光电二极管
E、MOS 电容
判断题(每题 10 分,共 5 题)
1、像管可以分为变像管和图像增强管。
（答案：y）
2、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴
极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。
（答案：y）
3、二相线阵 CCD 两路驱动脉冲的相位差是 120 度。
（答案：n）
4、级联式图像增强管的亮度增益可达 100000。
（答案：y）
5、摄像型光电成像是一种可以直接输出图像的器件。
（答案：n）
判断题(每题 10 分,共 5 题)
1、二相线阵 CCD 两路驱动脉冲的相位差是 120 度。
（答案：n）
2、摄像型光电成像是一种可以直接输出图像的器件。
（答案：n）
3、像管可以分为变像管和图像增强管。
（答案：y）
4、光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴
极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。
（答案：y）
5、级联式图像增强管的亮度增益可达 100000。
（答案：y）