Q/SB
中国航天科工集团第三研究院 发布
Q/SB 310.1~.14A—2005 目 次
前言.............................. .................................... Ⅱ 引言................................................................................... Ⅲ
元器件筛选技术条件 第1部分：总则....................................................1
元器件筛选技术条件 第2部分：半导体二极管............................................8
元器件筛选技术条件 第3部分：特殊半导体二极管.......................................11
元器件筛选技术条件 第4部分：半导体三极管...........................................14
元器件筛选技术条件 第5 部分：场效应管、可控硅、光电耦合器..........................17
元器件筛选技术条件 第6部分：半导体集成电路.........................................20
元器件筛选技术条件 第7部分：混合集成电路...........................................22
元器件筛选技术条件 第8部分：电容器.................................................24
元器件筛选技术条件 第9部分：电位器.................................................26
元器件筛选技术条件 第10部分：电阻器.................................................27
元器件筛选技术条件 第11部分：电感器.................................................28
元器件筛选技术条件 第12部分：继电器.................................................29
元器件筛选技术条件 第13部分：石英谐振器.............................................32
元器件筛选技术条件 第14部分：晶体振荡器.............................................34
I
前 言
Q/SB 310.1～14A —2005 《元器件筛选技术条件》分为十四个部分：
——第1部分： 总则；
——第2部分： 半导体二极管；
——第3部分： 特殊半导体二极管；
——第4部分： 半导体三极管；
——第5部分： 场效应管、可控硅、光电耦合器；
——第6部分： 半导体集成电路；
——第7部分： 混合集成电路；
——第8部分： 电容器；
——第9部分： 电位器；
——第10部分： 电阻器；
——第11部分： 电感器；
——第12部分： 继电器；
——第13部分： 石英谐振器；
——第14部分： 晶体振荡器。
本标准是对院Q/SB 310.1～14—2003 《元器件筛选技术条件》的进一步修订。
本标准与Q/SB 310.1～14—2003相比主要变化如下：
——进一步细化了特殊半导体二极管的筛选条件；
——增加了滤波器的筛选条件；
——增加了接触器的筛选条件；
——修改完善了部分元器件的高温反偏和老炼试验条件；
——明确规定了需要生产厂家进行的筛选项目和筛选条件。
本标准由中国航天科工集团第三研究院质量技术部提出。
本标准起草单位：元器件可靠性三院分中心。
本标准主要起草人：肖景林、王向昱、杨春利、鲁宇、侯铁忠、王越、刘月晖、安文龙。
II
引 言
为了加大元器件筛选把关力度、减少型号研制过程中元器件的批次性质量问题，尽可能剔除早期失效品，保证上机后元器件的使用可靠性，在深入研究元器件筛选方面相关标准的基础上，对院标Q/SB 310.1～14—2003《元器件筛选技术条件》再次修订。修订后的标准不仅是元器件可靠性三院分中心开展筛选工作的技术性标准，而且也是外协筛选单位、元器件供货厂家和型号研制院外协作单位进行元器件筛选和质量控制的依据。
本标准所规定的筛选内容是指型号用元器件所必需的筛选内容，元器件生产厂家出厂前所进行的筛选和分中心筛选相结合应能够覆盖本标准的要求，但不意味着元器件生产厂家所进行的筛选只按本标准执行即可，对于订购的某些高等级元器件并不影响其原等级标准所规定的筛选项目的执行；另外，当本标准的某些筛选项目与所采购元器件等级标准所规定的筛选项目相同而具体的试验条件不同时，则应按较高条件执行。
特别提醒用户留意的是，由于本标准在筛选项目安排上没有局限于分中心现有的保障条件，有些标准中规定的筛选项目目前在分中心无法进行，外协到其它筛选中心也无法开展，因此要求用户在订货时向生产厂家提出筛选要求，需要生产厂家进行的筛选项目详见附录C 。用户到分中心进行筛选时须提供有关筛选报告。
III
Q/SB 310.1A—2005
元器件筛选技术条件
第1部分：总则
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统用元器件(暂不包括电连接器及微波器件等) 筛选的要求。
本部分适用于飞航导弹武器系统用元器件(暂不包括电连接器及微波器件等) 的筛选。
2 要求
2.1 本标准主要用于规范我院型号产品用元器件可靠性筛选工作，鉴于个别元器件的筛选项目无法进行，为了确保元器件筛选工作的完整性，用户在元器件订货时，针对附录C 列出的内容须向生产厂家提出筛选要求，并向分中心提供涉及这些筛选内容的筛选报告；如所订购元器件的出厂筛选报告中已含有附录C 所列项目，则在订货合同中不必再另外提出针对附录C 的筛选要求。如附录C 个别项目生产厂家也暂时无法筛选则应提供书面证明材料。
2.2 送分中心筛选的元器件应是符合相关标准或技术协议的合格产品。
2.3 送筛单位应提供需要筛选的元器件的清单。清单应写明元器件的名称、型号规格、数量、生产厂（国别及公司）、生产日期、质量等级、工程代号、采购文件编号等，必要时应附元器件的图样和技术资料。
2.4 筛选用的仪器、设备要能够满足筛选要求，且应定期计量、检定，合格后方可使用。
2.5 从事筛选工作的人员应经过岗位培训和考核，合格者才能上岗。
2.6 筛选采集卡要记录完整、准确，每项结束后要签名或盖章，并对记录负责。
2.7 除另有规定外，元器件的筛选应在下列实验室环境条件下进行：温度为15℃～35℃，相对湿度为
4420%～80%，大气压力为8.66×10 Pa～10.66×10Pa 。
2.8 对静电放电敏感的元器件，在整个复验测试或筛选全过程中应采取严格的静电防护措施，避免由于静电给元器件造成静电损伤。
2.9 元器件在筛选前均应进行100%的复验(常温测试和外观检查) ，其允许不合格品率（PDA ）视产品等级而定。对于国军标、七专加严、七专、七专筛选、进口883级或相当等级以上的元器件，当PDA 大于3%时，退回送筛单位；对于其它较低等级的元器件，当PDA 大于5%时，退回送筛单位。
2.10 复验合格的元器件应100%进行筛选。筛选工作应与失效分析工作相结合，对筛选过程中出现的功能性失效元器件经分析认为具有批次性时，应判定为批次不合格。各项筛选试验结束后元器件的允许不合格品率PDA 及单项试验淘汰率的大小视产品等级而定。对于国军标、七专加严、七专、七专筛选、进口883级或相当等级以上的元器件，当PDA 大于10%或单项试验淘汰率大于5%时，视为批次不合格。对于其它较低等级的元器件，当PDA 大于15%或单项试验淘汰率大于10%时，视为批次不合格。
2.11 以上2.9和2.10条有关复验和筛选PDA 的有关规定只是作为控制元器件质量的一般性规定，在具体的执行过程中，应根据不合格品的分布情况、性质、失效模式以及失效分析的有关结论等进行综合分析判断，并结合以上PDA 的有关规定给出最终处理意见。有时即使当PDA 值小于规定值，但经分析判断存在较大隐患时仍可做批退处理；对于因外观、漏气等原因超淘汰率规定但经分析尚不构成批次性问题隐患的可酌情适当放宽要求。
2.12 经筛选合格并打印标记的元器件，按包装盒（袋）包装，并填写元器件筛选合格证。筛选完成后，写出筛选报告(具体格式见附录B) 一式两份，一份交送筛单位；一份留三院分中心存档，与采集卡一起保留。
1
Q/SB 310.1A—2005
2.13 本标准是飞航导弹武器系统元器件通用的筛选技术条件。对元器件筛选条件有特殊要求的用户，由送筛单位写出技术协议书（具体格式见附录A ），内容包括元器件名称、型号、生产厂、生产日期、具体筛选项目、筛选程序、测试参数、失效判据以及是否考虑淘汰率等内容，并由型号副总设计师以上领导或本单位主管质量的厂所级领导和分中心主管领导签字后生效执行。按技术协议筛选合格的元器件与按常规程序筛选合格的元器件在筛选标记上应相互区别。
2.14 元器件筛选应严格按筛选技术条件执行。由于设备条件限制、技术能力上的原因有可能出现的某些试验项目不能做时，应对外进行协作。对于进口元器件的某些筛选项目如对外协作仍不能做时，允许缺项筛选，待上机调试时来验证。但在筛选报告中要注明缺项筛选项目。
2
Q/SB 310.1A—2005
附 录 A
元器件筛选技术协议书 元器件名称
型号规格
（填写具体的筛选项目、筛选程序以及测试参数和失效判据等）
填 表 人：
填表日期：
送筛单位： 三院分中心 主管领导： 主管领导： 日 期： 日 期： 生产厂家 生产日期
3
Q/SB 310.1A—2005
附 录 B
电子元器件复验/筛选报告单
筛选编号： 送筛单位： 工程代号： 筛选标准： 产品名称
型号规格
试验项目
01 外观检查
02 常温初测
03 高温贮存
04 温度冲击
05 恒加速度 试 验 条 件 目测或用倍放大镜 见测试条件 生产厂家 数 量 合 格 不合格 生产批次 质量等级 不合格原因 ℃℃= ℃ 次 方向
06 跌落次 07 高温运行 08 低温运行 10 功率老化 11 高温反偏 12 高温测试 13 低温测试
14 细检漏
15 粗检漏
16 终测查外观
17 打印标记
复验总数
筛选总数
结论
意见 合格数 合格数 ℃ ℃ 按 次 次 ℃ h V ℃℃ ℃ ≤ mPa·cm3MPa h ℃ 同01， 不合格数 不合格数 复验淘汰率 筛选淘汰率 1. 合格准用（ ） 2. 批次退回（ ）
日 期 日 期 日 期 筛选单位公章 报告人 审核人 批准人
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Q/SB 310.1A—2005
附 录 C
需生产厂家进行的筛选项目清单
C.1 按生产厂家分类
按生产厂家分类见表C.1～表C.12。
表C.1 八七三厂
名称 瞬态电压抑制二极管
型号
封装
恒加速度
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
√ √ √ √
√ √
SY 系列√
YZG40（40A ） 螺栓式 √ YZ6C （6A ） 螺栓式 √
整流二极管
2CZ08（6A ）2CZ135（10A ）稳压二极管（230mA ）
表C.2 济南半导体元件实验所
名称
型号
封装
恒加速度
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
√ √ √ √ √ √
√ √
大功率肖特基整流二极
管
√ √ √ √ √ 2DK14（10A ） 2DK15（20A ）
表C.3 哈尔滨特种元器件厂
名称 肖特基 整流二极管
型号 MBR20100 （20A ）
封装
恒加速度
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
表C.4 朝阳无线电元件有限责任公司
名称 整流二极管 稳压二极管
型号 2CZ55系列 2CW 系列
封装 螺栓式 ED-1
恒加速度
√
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
表C.5 哈尔滨晶体管厂
名称
型号 2CK28E
开关二极管
封装
恒加速度
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
√ 2×√
5
Q/SB 310.1A—2005
表C.6 北京半导体器件五厂
名称 双基极 二极管 三端稳压器
恒加速度
√ √ 型号
封装
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
√ √ √ √
表C.7 宜昌半导体厂
名称
型号
封装
恒加速度
√
缺项项目
功率老炼 高温反偏
√
可控硅螺栓式
表C.8 青岛半导体研究所
名称
型号
封装
恒加速度
√
缺项项目 功率老炼 高温反偏
√
可控硅螺栓式
表C.9 北京可控硅元件厂
名称
型号
封装
恒加速度
缺项项目 功率老炼 高温反偏
√
可控硅
表C.10 沈阳飞达元器件厂
名称
型号
封装
恒加速度
缺项项目 功率老炼 高温反偏
√
可控硅
表C.11 八七七厂
名称 大功率
三极管 超快恢复 二极管 MOS 场效应管
型号 3CI10C 3DI10C 2CBF01B （2000V ） 2CBF01C （3000V ）
封装 类似F-1 类似F-1
恒加速度
√ √
缺项项目 功率老炼 高温反偏
√ √
√
表C.12 四四三三厂
缺项项目
恒加速度 功率老炼
√
功率运放 √
√
12腿金属圆壳
运算放大器 √
封装 名称
型号
封装
6
高温反偏
Q/SB 310.1A—2005
注： 以上需生产厂家进行的筛选项目清单将随着型号产品研制过程中新元器件的选用将不断进行更新。
C.2 按筛选项目分类
C.2.1 钽电解电容器的X 光检查
有腔体结构的固体钽电解电容器需要生产厂家做X 光检查。 C.2.2 电容器的高温电老炼
对额定电压在1000V 以上的各类电容器要求生产厂家进行高温电老炼。 C.2.3 二极管的高温反偏
对反偏电压在1200V 以上的整流、检波和开关二极管要求生产厂家进行高温反偏。 C.2.4 可控硅的功率老炼
适用于各可控硅生产厂。
C.2.5 密封电磁继电器的振动筛选
适用于各密封电磁继电器生产厂。
C.2.6 密封电磁继电器的高温运行和低温运行
适用于各密封电磁继电器生产厂。 C.2.7 时间继电器的负载条件试验和老炼
适用于各时间继电器生产厂。
C.2.8 温度继电器的各项筛选内容(本标准第12部分)
适用于各温度继电器生产厂。
C.2.9 石英谐振器的各项筛选内容（本标准第13部分）
适用于各石英谐振器生产厂。
C.2.10 晶体振荡器的各项筛选内容（本标准第14部分）
适用于各晶体振荡器生产厂。
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元器件筛选技术条件 第2部分：半导体二极管
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的半导体整流、检波、开关和稳压二极管的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用半导体二极管的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 128A－1997 半导体分立器件试验方法 3 筛选程序
3.1 整流、检波、开关二极管
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→功率老炼─→常温测试─→高温反偏─→常温测试─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 3.2 稳压二极管
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→功率老炼─→常温测试─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a) 产品的外引线不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象； b) 产品的主体不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象； c) 产品型号、极性等标志应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 高温贮存
各类型二极管高温贮存条件和时间如表1所示：
表1
贮存温度 ℃
锗 管±3 硅管（金属封装）±3 硅管（其它封装）±3
注： 由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
类 别
贮存时间
h 24
4.4 常温测试
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Q/SB 310.2A—2005
同4.2除恒定加速度或跌落外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
试验方法按GJB 128A 方法1051执行，其中保持时间为30min ，转换时间小于1min 。温度循环条件如表2所示：
表2
4.6 恒定加速度或跌落 4.6.1 恒定加速度
Y1方向，1min ，按GJB 128A方法2006执行。 4.6.2 跌落
该项只对金属圆壳封装的管子做，其它封装不做。
将圆壳封装的二极管从80cm 高处按自由落体落到5mm 厚的玻璃板上，保证管帽先接触玻璃板，共做10次，剔除掉漆的二极管。当出现管帽破裂、掉帽或功能失效现象时，应进行失效分析，以判定是否为批次性质量问题。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 128A方法2052执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2052的条件B 执行。
4.8 功率老炼
4.8.1 半导体整流及检波二极管
当额定电流I F 小于或等于1A 时，老炼电流取I F 的（1.2～1.5）倍；当额定电流I F 大于1A 时，老炼电流取额定电流I F 。
在室温条件下老炼，老炼时间：12h 。 4.8.2 半导体开关二极管
当额定电流I F 小于或等于10A 时，老炼电流取I F 的（1.2～1.5）倍；当额定电流I F 大于10A 时，老炼电流取额定电流I F 。
在室温条件下老炼，老炼时间：12h 。 4.8.3 半导体稳压二极管
在常温下，采用反向直流老炼。额定功率小于或等于3W 的，老炼功率取（1.2～1.5）倍额定功率P CM ；额定功率大于3W 的，老炼功率取额定功率P CM 。
老炼时间：12h 。 4.9 高温反偏
试验方法按GJB 128A方法1038条件A 。试验温度硅管一般取125℃±3℃、锗管取70℃±2℃，如产品标准有试验温度规定时应以产品标准为准；电压加额定反向电压的80％，保持12h 。 4.10 检漏
4.10.1 细检漏
试验方法按GJB 128A方法1071 H1执行。试验条件及漏率判据按GJB 128A方法1071表1071-5执行。
4.10.2 粗检漏
用氟碳化合物加压法进行粗检漏。
试验方法按GJB 128A方法1071条件C 执行。 4.11 常温复测
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同4.2。 4.12 外观复查
同4.1。 4.13 打印标记
凡经筛选合格的二极管均按相关文件规定打印筛选标记。
10
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元器件筛选技术条件 第3部分：特殊半导体二极管
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的特殊半导体二极管筛选的程序、条件和方法。
本部分中的特殊二极管指双基极二极管、发光二极管（瞬态电压抑制二极管、硅桥、硅堆等可参照执行）。
本部分适用于飞航导弹武器系统用特殊半导体二极管的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 128A－1997 半导体分立器件试验方法 3 筛选程序
3.1 发光二极管、双基极二极管
外观初查—→常温初测—→高温贮存—→温度循环—→常温测试—→恒定加速度或跌落（实芯的不做）—→常温测试—→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）—→功率老炼—→常温测试—→检漏（实芯的不做）—→常温复测—→外观复查—→打印标记。 3.2 瞬态电压抑制二极管
外观初查—→常温初测—→高温贮存—→温度循环—→常温测试—→恒定加速度或跌落（实芯的不做）—→常温测试—→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）—→高温反偏—→常温测试—→检漏（实芯的不做）—→常温复测—→外观复查—→打印标记。 3.3 硅桥、硅堆
外观初查—→常温初测—→高温贮存—→温度循环—→常温测试—→恒定加速度或跌落（实芯的不做）—→常温测试—→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）—→常温测试—→检漏（实芯的不做）—→常温复测—→外观复查—→打印标记。 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a) 产品的外引线不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象； b) 产品的主体不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象； c) 产品型号、极性等标志等应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 高温贮存
高温贮存条件和时间如表1所示：
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Q/SB 310A.3—2005
表1
贮存温度 ℃
金属壳封装±3 陶瓷及玻璃封装±3
塑料封装±2
注： 由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
封装形式
贮存时间
h 24
4.4 常温测试
同4.2除恒定加速度或跌落外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
试验方法按GJB 128A 方法1051执行，其中保持时间为
30min ，转换时间小于1min 。温度循环条件如表2所示。
表2
4.6.1 恒定加速度
Y1方向，1min ，按GJB 128A方法2006执行。 4.6.2 跌落
该项只对金属圆壳封装的管子做，其它封装不做。
将二极管从80cm 高处按自由落体落到5mm 厚的玻璃板上，保证管帽先接触玻璃板，共做10次，剔除掉漆的二极管。当出现管帽破裂、掉帽或功能失效现象时，应进行失效分析，以判定是否为批次性质量问题。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 128A方法2052执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2052的条件B 执行。
4.8 功率老炼
4.8.1 发光二极管
在常温下，老炼电流取额定正向电流I F 。 老炼时间：12h 。 4.8.2 双基极二极管
老炼线路如图1所示：
RT =24kΩ，R B2
图1 双基极二极管老炼线路图
根据不同型号的双基极二极管取不同的V B1B2及R B1值，原则上V B1B2值不得超过基极最高使用电压。 在常温下老炼12 h。
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其它特殊半导体二极管的老炼方法和条件参照产品规范或有关技术协议执行。 4.9 高温反偏
试验方法按GJB 128A 方法1038条件A 。瞬态电压抑制二极管在125℃±3℃温度下，加最大反向工作电压的80％，保持12 h。 4.10 检漏
4.10.1 细检漏
试验方法按GJB 128A方法1071 H1执行。试验条件及漏率判据按GJB 128A方法1071表1071－5执行。
4.10.2 粗检漏
用氟碳化合物加压法进行粗检漏。
试验方法按GJB 128A方法1071条件C 执行。 4.11 常温复测
同4.2。 4.12 外观复查
同4.1。 4.13 打印标记
凡经筛选合格的二极管均按相关文件规定打印筛选标记。
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元器件筛选技术条件 第4部分：半导体三极管
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的半导体三极管的筛选程序、条件和方法。 本部分适用于飞航导弹武器系统用半导体三极管的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 128A—1997 半导体分立器件试验方法 3 筛选程序
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→功率老炼─→常温测试─→高温反偏（PNP 硅管做）─→常温测试─→高温测试（有要求时）─→低温测试（有要求时）─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记。 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a) 管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象；
b) 管帽不应有变形、颈缩、严重掉漆、开裂等现象； c) 产品型号、出厂日期等标志应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 用图示仪观察输出特性曲线及击穿特性曲线，剔除曲线明显不均匀及有软击穿、分段击穿等异常现象的三极管。 4.3 高温贮存
高温贮存条件和时间如表1所示：
表1
贮存温度 ℃
锗 管±3 硅管（金属封装）±3 硅管（其它封装）±3
注： 由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
类 别
贮存时间
h 24
4.4 常温测试
同4.2除恒定加速度或跌落外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
试验方法按GJB 128A方法1051执行，其中保持时间为30min ，转换时间小于1min 。
14
Q/SB 310.4A—2005
温度循环条件如表2所示：
表2
4.6.1 恒定加速度
Y1方向，1min ，按GJB 128A方法2006执行。 4.6.2 跌落
该项试验适用于金属圆壳封装的三极管。
将三极管从80cm 高处按自由落体落到5mm 厚的玻璃板上，保证管帽先接触玻璃板，共做10次，剔除掉漆的三极管。当出现管帽破裂、掉帽或功能失效现象时，应进行失效分析，以判定是否为批次性质量问题。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 128A方法2052执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2052的条件B 执行。
4.8 功率老炼
4.8.1 中小功率三极管
在常温下老炼，老炼时间：24 h。 老炼功率一般取（1～1.2）P CM 。
老炼功率中电流与电压的分配原则如下： 电压V CE =K・V (BR)CEO，其中K 值如表3所示：
表3
V (BR)CEO
v
＜～～100
＞100
～～～～0.45
电流 Ic =
Pcm
Vce
4.8.2 大功率三极管
在常温下老炼，老炼时间：12 h。 老炼功率一般取（0.7～1）PCM 。 老炼电流：Ic=（1/2～1/3）ICM 。
大、中、小功率三极管功率老炼时，应考虑老炼功率的选取不应使管芯温度超过TjM 。 4.9 高温反偏（PNP 硅管做）
试验方法按GJB 128A方法1039条件A 执行。在125℃±3℃温度下，PNP 硅管CB 结加V(BR)CBO电压的80％，保持24h 。漏电流不超过标准值。 4.10 高温测试（有要求时）
温度条件、测试参数及测试要求按产品标准或技术协议规定执行。 4.11 低温测试（有要求时）
温度条件、测试参数及测试要求按产品标准或技术协议规定执行。 4.12 检漏
4.12.1 细检漏
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Q/SB 310.4A—2005
试验方法按GJB 128A方法1071 H1执行。试验条件及漏率判据按GJB 128A方法1071表1071－5执行。
4.12.2 粗检漏
用氟碳化合物加压法进行粗检漏。
试验方法按GJB 128A方法1071条件C 执行。 4.13 常温复测
同4.2。 4.14 外观复查
同4.1。 4.15 打印标记
凡经筛选合格的三极管均按相关文件规定打印筛选标记。
16
Q/SB 310.5A—2005
元器件筛选技术条件
第5部分：场效应管、可控硅、光电耦合器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的场效应管、可控硅、光电耦合器的筛选程序、条件和方法。 本部分适用于飞航导弹武器系统用场效应管、可控硅、光电耦合器的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 128A－1997 半导体分立器件试验方法 3 筛选程序
3.1 可控硅和光电耦合器
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→功率老炼─→常温测试─→高温测试（有要求时）─→低温测试（有要求时）─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 3.2 场效应管
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落(实芯的不做) ─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→高温反偏─→常温测试─→高温测试（有要求时）─→低温测试（有要求时）─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记
4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目:
a) 管脚不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象； b) 管帽不应有变形、颈缩、严重掉漆等现象； c) 产品型号、出厂日期等标志应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品标准规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 高温贮存
高温贮存条件和时间如表1所示。
表1
类 别
贮存温度 ℃
贮存时间
h
场效应管 可控硅 150±光电耦合器
注： 由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
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Q/SB 310.5A—2005
4.4 常温测试
同4.2除恒定加速度或跌落外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
试验方法按GJB 128A 方法1051执行，其中保持时间为30min ，转换时间小于1min 。温度循环条件如表2所示：
表2
4.6.1 恒定加速度
Y1方向，1min ，按GJB 128A方法2006执行。 4.6.2 跌落
该项试验适用于金属圆壳封装的器件。
将管子从80cm 高处按自由落体落到5mm 厚的玻璃板上，尽量保证管帽先接触玻璃板，共做10次，剔除掉漆的管子。当出现管帽破裂、掉帽或功能失效现象时，应进行失效分析，以判定是否为批次性质量问题。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 128A方法2052执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2052的条件B 执行。
4.8 功率老炼 4.8.1 可控硅
温度：100℃±2℃（或产品规定的试验温度），时间：24h 。
方法按GJB 128A方法1040条件A （交流阻断电压）或条件B （直流正向阻断电压）。 4.8.2 光电耦合器
在室温下，根据传输比CTR 调节输入电流使输出达到满功率老炼。 老炼时间：24h 。
以上器件老炼过程中要定时监测，工作不正常的要及时剔除。 4.9 高温反偏
4.9.1 结型场效应管
温度：125℃±3℃（或产品规定的试验温度），时间：24h V DS =0，V GS = V （BR ）GS ×0.8（或按产品规定）。 4.9.2 MOS场效应管
温度：125℃±3℃（或产品规定的试验温度）， 时间：24 h a) 小功率场效应管：按GJB 128A方法1039条件A ； b) 大功率场效应管：按GJB 128A方法1042条件B 。 4.10 高温测试（有要求时）
温度条件、测试参数及测试要求按产品标准或技术协议规定执行。 4.11 低温测试（有要求时）
温度条件、测试参数及测试要求按产品标准或技术协议规定执行。 4.12 检漏
4.12.1 细检漏
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Q/SB 310.5A—2005
试验方法按GJB 128A方法1071 H1执行。试验条件及漏率判据按GJB 128A方法1071表1071－5执行。
4.12.2 粗检漏
用氟碳化合物加压法进行粗检漏。
试验方法按GJB 128A方法1071条件C 执行。 4.13 常温复测
同4.2。 4.14 外观复查
同4.1。 4.15 打印标记
凡经筛选合格的器件均按相关文件规定打印筛选标记。
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Q/SB 310.6A－2005
元器件筛选技术条件 第6部分：半导体集成电路
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的半导体集成电路的筛选程序、条件和方法。 本部分适用于飞航导弹武器系统用半导体集成电路的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 548A－1996 微电子器件试验方法和程序 3 筛选程序
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度或跌落（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→高温功率老炼─→常温测试─→高温测试─→低温测试─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a) 电路的表面不应有污渍、锈蚀、镀层起泡脱落等损伤；
b) 电路壳体不应有变形、碎裂，引线不应有机械损伤、锈蚀等现象； c) 电路的型号、出厂日期等标志应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 高温贮存
高温贮存条件和时间如表1所示：
表1
封装形式
贮存温度 ℃
贮存时间
h 24
金属壳封装
150±3
陶瓷封装
塑料封装±2
注：由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
4.4 常温测试
同4.2除恒定加速度或跌落外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
试验方法按GJB 548A方法1010A 执行，停留时间为30min ，转换时间小于1min 。温度循环条件如表2所示：
20
Q/SB 310.6A—2005
表2
4.6 恒定加速度（或跌落） 4.6.1 恒定加速度
仅Y1方向，对于大型封装的器件，质量不小于5g 时，其试验可按适用的器件规范中规定的条件来进行，但应力强度不得低于5000g 。方法按GJB 548A中2001A 。 4.6.2 跌落
对于金属圆壳封装的集成电路，可用跌落的方法代替恒定加速度试验。
具体要求：从80cm 高处按自由落体落到5mm 厚的玻璃板上，尽量保证管帽先接触玻璃板，共做10次，剔除掉漆的电路。当出现管帽破裂、掉帽或功能失效现象时，应进行失效分析，以判定是否为批次性质量问题。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 548A方法2020A 执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2020A 的条件B 执行。
4.8 高温功率老炼
老炼温度： 125℃±3℃， 老炼时间：96 h；
85℃±2℃， 老炼时间：96 h（塑封）。 （集成稳压器在常温下进行功率老炼，老炼时间为96 h）。 功率老炼要求在额定负载、无寄生振荡情况下进行。 4.9 高温测试
按产品标准、规范或协议要求测试器件高温环境条件下的静态、动态参数和功能，高温应按器件最高额定工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。 4.10 低温测试
按产品标准、规范或协议要求测试器件低温环境条件下的静态、动态参数和功能，低温应按器件最低额定工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。 4.11 检漏
4.11.1 细检漏
方法按GJB 548A中1014A 试验条件A1，示踪气体氦（He ）细检漏中的固定方法，从加压密封室取出到最后一个器件的检漏试验应在60min 内完成。 4.11.2 粗检漏
采用氟碳化合物加压法进行粗检漏。 按GJB 548A方法1014A 试验条件C1。 4.12 常温复测
同4.2。 4.13 外观复查
同4.1
4.14 打印标记
凡经筛选合格的电路均按相关文件规定打印筛选标记。
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Q/SB 310.7A－2005
元器件筛选技术条件 第7部分：混合集成电路
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统用混合集成电路(含滤波器) 的筛选程序、条件和方法。 本部分适用于飞航导弹武器系统混合集成电路(含滤波器) 的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 548A－1996 微电子器件试验方法和程序 3 筛选程序
3.1 混合集成电路
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→功率老炼─→常温测试─→高温测试─→低温测试─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 3.2 滤波器
外观初查─→常温初测─→高温贮存─→温度循环─→常温测试─→恒定加速度（实芯的不做）─→常温测试─→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）─→高温测试─→低温测试─→检漏（实芯的不做）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a) 电路的表面不应有污渍、锈蚀、镀层起泡脱落等损伤；
b) 电路壳体不应有变形、碎裂，引线不应有机械损伤、锈蚀等现象； c) 电路的型号、出厂日期等标志应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 高温贮存
高温贮存条件和温度如表1所示：
表1
封装形式
贮存温度 ℃
贮存时间
h 24
金属壳封装±3
塑料封装±2
注： 由于封装材料耐温性所限，试验温度不应超过产品标准给定的极限温度。
4.4 常温测试
同4.2除恒定加速度外，其它筛选试验结束后的常温测试均要求在室温下放置2h 后进行。 4.5 温度循环
22
Q/SB 310.7A－2005
试验方法按GJB 548A方法1010A 执行，停留时间为30min ，转换时间小于1min 。温度循环条件如表2所示：
表2
4.6 恒定加速度
Y1方向，1min ，方法按GJB 548A方法2001A 。
当产品规范对试验条件有特殊要求时，以产品规范为准。 4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 548A方法2020A 执行，振动冲击共循环4次，振动条件按2020A 的条件B 执行。
4.8 功率老炼
DC/DC电源模块：控制器件的壳温在工作温度范围内，按额定功率的70％～100%进行老炼，老炼时间为48h 。
其它混合集成电路：85℃±2℃，48h ，器件电压、电流、偏置按规定值。 4.9 高温测试
按产品标准、规范或协议要求测试器件高温环境条件下的静态、动态参数和功能，高温应按器件最高额定工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。 4.10 低温测试
按产品标准、规范或协议要求测试器件低温环境条件下的静态、动态参数和功能，低温应按器件最低额定工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。 4.11 检漏
4.11.1 细检漏
方法按GJB 548A方法1014A 试验条件A1，示踪气体氦（He ）细检漏中的固定方法，从加压密封室取出到最后一个器件的检漏试验应在60min 内完成。 4.11.2 粗检漏
采用氟碳化合物加压法进行粗检漏。
方法按GJB 548A方法1014A 试验条件C1。 4.12 常温复测
同4.2。 4.13 外观复查
同4.1。 4.14 打印标记
凡经筛选合格的混合集成电路均按相关文件规定打印筛选标记。
23
Q/SB 310.8A－2005
元器件筛选技术条件 第8部分：电容器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的电解电容器、无机介质和有机介质电容器的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用电解电容器、无机介质和有机介质电容器的筛选。 2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 360A－1996 电子及电气元件试验方法 3 筛选程序
3.1 电解电容器
外观初查─→常温初测─→温度循环（半密封液体钽电解电容器不做）─→常温测试─→高温电老炼─→高温测试─→低温测试（有要求时）─→X 光检查（仅适用于有腔体结构的固体钽电解电容器）─→常温复测─→外观复查─→打印标记 3.2 无机介质和有机介质电容器
外观初查─→常温初测─→温度循环─→常温测试─→高温电老炼─→常温复测─→外观复查─→打印标记 4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目:
a) 产品的主体不应有变形、破损，引线不应有损伤和锈蚀等现象； b) 产品型号、极性标志等应清楚、正确。 4.2 常温初测
在室温下，按产品标准规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。 4.3 温度循环
温度循环条件如表1所示：
表1
做温度循环时，先在低温下存放30min ，再转换到高温下存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。其它电容器类有的由于受自身工作温度所限，温度循环试验温度
24
Q/SB 310.8A－2005
不应超过产品标准给定的最高或最低工作温度。
4.4 常温测试
同4.2要求在室温下放置2h 后进行。
4.5 高温电老炼
4.5.1 钽电解电容器
温度：85℃±2℃，老炼时间：48h 。
加额定工作电压老炼。
无极性钽电容器老炼24 h后，再换向老炼24 h。
4.5.2 铝电解电容器
在正极限温度下，加额定直流工作电压老炼。
老炼时间：48h
4.5.3 介质电容器（包括无机介质和有机介质电容器）
在正极限温度下，加1.0～1.5倍的额定工作电压。
老炼时间：24h 。
4.6 高温测试
按产品规范或技术协议要求进行，漏电流指标应符合规定。
4.7 低温测试（有要求时）
按产品规范或技术协议要求进行，漏电流指标应符合规定。
4.8 X光检查
采用GJB 360A的方法209进行X 光检查，剔除内部结构异常或有多余物的产品。本项试验仅适用于有腔体结构的固体钽电解电容器。
4.9 常温复测
同4.2。
4.10 外观复查
同4.1。
4.11 打印标记
凡经筛选合格的电容器均按相关文件规定打印筛选标记。
25
Q/SB 310.9A－2005
元器件筛选技术条件
第9部分：电位器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的有机实芯电位器、线绕电位器等的筛选程序、条件和方法。 本部分适用于飞航导弹武器系统用电位器的筛选。
2 筛选程序
外观初查—→常温初测—→温度循环—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3 筛选条件与方法
3.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目:
a ） 引线不应有机械损伤、裂纹、锈蚀和断腿现象；
b ） 主体不应有变形、破损现象；
c ） 产品型号、出厂日期等标志应清楚、正确。
3.2 常温初测
在室温下，按产品标准规定进行测试总阻值R 和平滑性，结果应符合产品标准或有关技术协议要求。
3.3 温度循环
条件：（－55±3）℃（85±2）℃（试验温度不应超过产品极限工作温度）五次
先在低温下存放30min ，再转换到高温存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。
3.4 常温复测
同3.2。
3.5 外观复查
同3.1。
3.6 打印标记
凡经筛选合格的电位器均按相关文件规定打印筛选标记。
26
Q/SB 310.10A－2005
元器件筛选技术条件
第10部分：电阻器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的电阻器(包括普通电阻器、电阻网络和热敏电阻器等) 的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用电阻器的筛选。
2 筛选程序
外观初查—→常温初测—→温度循环—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3 筛选条件与方法
3.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目:
a ） 产品不应有变形，引线不应有损伤、锈蚀等现象；
b ） 产品标志应清楚、正确。
3.2 常温初测
按产品规范或技术协议测试电阻值，电参数应符合规定。
3.3 温度循环
条件：（－55±3）℃125±3）℃（试验温度不应超过产品极限工作温度）五次
先在低温下存放30min ，再转换到高温存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。
3.4 常温复测
同3.2。
3.5 外观复查
同3.1。
3.6 打印标记
凡经筛选合格的电阻器均按相关文件规定打印筛选标记。
27
Q/SB 310.11A－2005
元器件筛选技术条件
第11部分：电感器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统用电感器的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用电感器的筛选。
2 筛选程序
外观初查—→常温初测—→温度循环—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3 筛选条件与方法
3.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a ） 引线不应有机械损伤、裂纹和断腿现象；
b ） 壳体不应有变形、破损、变色等现象；
c ） 产品型号等标志应清楚、正确。
3.2 常温初测
在常温下测试：电感量L 和品质因数Q 。电参数应符合产品标准或有关技术协议要求。
3.3 温度循环
条件： （-55±3）℃（85±2）℃（试验温度不应超过产品极限工作温度）五次
做温度循环时，先在低温下存放30min ，再转换到高温存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。
3.4 常温复测
同3.2。
3.5 外观复查
同3.1。
3.6 打印标记
凡经筛选合格的电感器均按相关文件规定打印筛选标记。
28
Q/SB 310.12A－2005
元器件筛选技术条件
第12部分：继电器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的密封电磁继电器、时间继电器、固体继电器、温度继电器和接触器的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用密封电磁继电器、时间继电器、固体继电器、温度继电器和接触器的筛选。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 65B－1999 有可靠性指标的电磁继电器总规范
GJB 548A—1996 微电子器件试验方法和程序
GJB 1513－1992 混合和固体延时继电器总规范
QJ 789A－1995 密封电磁继电器筛选技术条件
QJ 2323－1992 密封温度继电器筛选技术条件
3 筛选程序
3.1 密封电磁继电器
外观初查—→常温初测—→振动—→高温运行—→低温运行—→内部潮湿检查—→颗粒碰撞噪声检测(PIND)(实芯的不做) —→检漏（适用于密封型）—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3.2 时间继电器
外观初查—→常温初测—→高温贮存—→温度循环—→常温测试—→负载条件试验—→老炼—→常温测试—→检漏（适用于密封型）—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3.3 固体继电器
外观初查—→常温初测—→高温贮存—→温度循环—→常温测试—→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）（实芯的不做）—→老炼—→常温测试—→高温测试—→低温测试—→检漏（适用于密封型）—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3.4 温度继电器
外观初查—→常温初测—→动作温度及回复温度范围测量—→动作温度运行—→振动（扫描振动） —→检漏（适用于密封型）—→常温复测—→外观复查—→打印标记
3.5 接触器
进行外观检查和常温测试。
4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目：
a ） 引线不应有机械损伤、断裂、锈蚀等现象；
b ） 外壳表面不应有变形和划伤，绝缘子不应有破裂等现象；
29
Q/SB 310.12A－2005
c ） 型号、批次等标志应清楚、正确。
4.2 常温初测
在室温下，按产品标准规范或协议要求进行测试，电参数应符合规定。
4.3 振动
4.3.1 密封电磁继电器
按QJ 789A的5.1条执行。
4.3.1.1 扫描振动
按QJ 789A的5.1.1条执行。
4.3.1.2 随机振动（有要求时）
按QJ 789A的5.1.2条执行。
4.3.2 温度继电器
进行扫描振动。按QJ 2323的5.6条执行。
4.4 高温运行
按QJ 789A的5.2执行。
4.5 低温运行
按QJ 789A的5.3执行。
4.6 内部潮湿检查
按QJ 789A的5.4执行。
4.7 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
密封电磁继电器按GJB 65B附录B 的条件B 执行。
固体继电器按GJB 548A方法2020A 执行。振动条件按2020A 的条件B 执行。
4.8 高温贮存
125℃±3℃（试验温度不应超过产品最高承受温度），时间：24h 。
4.9 温度循环
条件：-55℃±3℃℃±3℃（试验温度不应超过产品极限工作温度）五次
做温度循环时，先在低温下存放30min ，再转换到高温存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。
4.10 负载条件试验
按GJB 1513的4.7.2.3执行，只在产品详细规范有要求时进行。
4.11 老炼
按GJB 548A方法1015A 的规定进行，只在产品详细规范有要求时进行。
老炼温度和时间确定如下：
老炼温度：125℃±3℃（或按产品最高工作温度），老炼时间：96h ；
老炼应力条件按产品详细规范或技术协议的规定。
4.12 常温测试
同4.2，要求在室温下放置2h 后进行。
4.13 高温测试
按产品标准、规范或协议要求测试固体继电器高温环境条件下的性能指标，高温应按产品最高工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。
4.14 低温测试
按产品标准、规范或协议要求测试固体继电器低温环境条件下的性能指标，低温应按产品最低工作温度，恒温30min 后进行测试，剔除不合格品。
4.15 动作温度及回复温度范围测量
按QJ 2323的5.3和5.4条执行。
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Q/SB 310.12A－2005
4.16 动作温度运行
按QJ 2323的5.5条执行。
4.17 检漏
4.17.1 密封电磁继电器
对锡封电磁继电器采用加压充氮抽低气压法进行粗检漏，按QJ 789A条件和方法执行；对全熔焊密封电磁继电器要求进行细检漏和粗检漏，细检漏按GJB 548A方法1014A 条件A1执行，粗检漏按QJ 789A条件和方法执行。
4.17.2 时间继电器
根据时间继电器的封装结构形式决定是否进行检漏试验，并根据漏率指标要求确定粗检漏和细检漏。
粗检漏采用加压充氮抽低气压法，按QJ 789A条件和方法执行；细检漏按GJB 548A方法1014A 条件A1执行。
4.17.3 固体继电器
对有密封要求的固体继电器进行检漏试验，试验条件和方法按GJB 548A方法1014A 执行。细检漏按条件A1进行，粗检漏按条件C1进行。
4.17.4 温度继电器
按QJ 2323的5.7条执行。
4.18 常温复测
同4.2。
4.19 外观复查
同4.1。
4.20 打印标记
凡经筛选合格的继电器均按相关文件规定打印筛选标记。
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Q/SB 310.13A－2005
元器件筛选技术条件
第13部分：石英谐振器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统上用的石英谐振器的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用石英谐振器的筛选。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
QJ 2616－1994 石英谐振器筛选规范
3 筛选程序
外观初查—→常温初测—→低温贮存—→高温贮存—→温度循环—→随机振动—→检漏—→高温电老炼—→可工作温度范围变温测试—→常温复测—→外观复查—→打印标记
4 筛选条件与方法
4.1 外观初查
目视或用5～10倍放大镜检查下列项目:
a) 产品的主体不应有磕碰、变形、开裂、锈蚀等现象；
b) 产品型号、出厂日期和极性标志应清楚、正确。
4.2 常温初测
在常温下测试谐振频率、等效电阻等参数，各项参数应符合产品的标准或有关技术协议要求。恒温晶体在其拐点温度下测试。
4.3 低温贮存
贮存温度-550
−3℃，贮存时间48h 。
把元件存入规定的温度条件下，在规定试验时间之后，按4.2条测试。
4.4 高温贮存
+2贮存温度1050℃，贮存时间48h 。
把元件存入规定的温度条件下，在规定试验时间之后，按4.2条测试。
4.5 温度循环
+2条件：-400
−3℃0℃ 五次
由于封装材料耐温性所限，可以按产品标准或规范给定的试验温度。
做温度循环时，先在低温下存放30min ，再转换到高温下存放30min ，转换时间小于1min ，高温结束为一次循环，按此方法共循环五次。
温度循环结束后，按4.2条测试。
4.6 随机振动
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Q/SB 310.13A－2005
按QJ 2616的5.5条执行。
4.7 检漏
按QJ 2616的5.6条执行
4.8 高温电老炼
按供需双方商定的电路形式老炼。
+2温度850℃，时间96h 。抽样监测工作波形。
4.9 可工作温度范围变温测试
谐振器应在工作温度范围内从低温到高温进行变温测试频率和电阻，温度间隔为每间隔5℃测试一次，其温度变化率：零度以上为不超过5℃/min，零度以下为不超过2℃/min。
4.10 常温复测
同4.2。
4.11 外观复查
同4.1。
4.12 打印标记
凡复测合格的石英谐振器均按相关文件规定打印筛选标记。
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Q/SB 310.14A－2005
元器件筛选技术条件
第14部分：晶体振荡器
1 范围
本部分规定了飞航导弹武器系统用晶体振荡器的筛选程序、条件和方法。
本部分适用于飞航导弹武器系统用晶体振荡器的筛选。
2 引用标准
下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分。
GJB 360.7 电子及电气元件试验方法 温度冲击试验
GJB 360.12 电子及电气元件试验方法 密封试验
GJB 360.24 电子及电气元件试验方法 随机振动试验
GJB 548A－1996 微电子器件试验方法和程序
GJB 1648－1993 晶体振荡器总规范
3 筛选程序
3.1 分立元件结构器件的筛选程序
随机振动（有要求时）—→温度冲击—→检漏—→机内测试（负荷）—→电气试验—→外观检查—→打印标记
3.2 定制混合微电路结构振荡器的筛选程序
温度循环—→恒定加速度—→检漏—→颗粒碰撞噪声检测（PIND ）(实芯的不做) —→机内测试（负荷）—→电气试验—→外观检查—→打印标记
4 筛选条件与方法
4.1 随机振动（有要求时）
按GJB 360.24条件Ⅰ－B ；持续时间：每轴向5min 。
4.2 温度冲击
按GJB 360.7条件A －1。
4.3 温度循环
按GJB 548A方法1010A 条件B 。
4.4 恒定加速度
按GJB 548A方法2001A 条件A ，仅Y1方向（5000g 或按产品规范）。
4.5 检漏
4.5.1 分立元件结构
a) 细检漏
按GJB 360.12条件C ；
b) 粗检漏
按GJB 360.12条件D 或E 。
4.5.2 定制混合微电路结构
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Q/SB 310.14A－2005
a) 细检漏
按GJB 360.12条件C ； b) 粗检漏
按GJB 360.12条件E 。
4.6 颗粒碰撞噪声检测（PIND ）
试验条件、方法按GJB 548A方法2020A 执行，振动条件按2020A 的条件B 。 4.7 机内测试（负荷）
最高规定工作温度，额定电源电压和机内测试负载，至少48h 。 4.8 电气试验
a) 输入电流－功率
按GJB 1648第4.9.5条； b) 输出波形
按GJB 1648第4.9.19条； c) 输出电压－功率
按GJB 1648第4.9.20条。 4.9 外观检查
目视或用5～10倍放大镜进行外观检查，剔除外观有气泡、裂纹、锈蚀、机械损伤、标志不清等有缺陷的器件。 4.10 打印标记
凡筛选合格的晶体振荡器均按相关文件规定打印筛选标记。
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5002－A 4１～1. 013 B S /Q