1一块一侧掺杂成P型半导体

1一块一侧掺杂成P 型半导体,另一侧参杂成N 型半导体,中间二者相连的接触面称为PN (英语:p-n junction)。PN 结是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P 型半导体,另一部分掺有施主杂质是N 型半导体时,P 型半导体和 N 型半导体的交界面附近的过渡区称为PN 结。PN 结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN 结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料(如GaAl/GaAs、InGaAsP/InP等)制成的PN 结叫异质结。制造PN 结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法

2. PN 结是构成各种半导体器件的基础。制造PN 结的方法有:

制造异质结通常采用外延生长法。

(1)外延方法:突变PN 结;

(2)扩散方法:缓变PN 结;

(3)离子注入方法:介于突变结与缓变结之间

3.PN 结接触电势差的形成P 、N 型两种材料接触后,发生了载流子的移动,最后达到动态平衡。平衡后PN 结区的自建电场导致了PN 结的电势差。在PN 结中,靠近N 区部分的电势比靠近P 区部分的电势高。这时在PN 结区外的N 区的里面每一点的电势相等


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